SIZF906DT-T1-GE3

SIZF906DT-T1-GE3

निर्माता

Vishay / Siliconix

उत्पादन वर्ग

ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - अॅरे

वर्णन

MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

तपशील

  • मालिका
    TrenchFET® Gen IV
  • पॅकेज
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • भाग स्थिती
    Active
  • fet प्रकार
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet वैशिष्ट्य
    Standard
  • स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
    30V
  • वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
    60A (Tc)
  • rds वर (कमाल) @ id, vgs
    3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (कमाल) @ आयडी
    2.2V @ 250µA
  • गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
    22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
  • इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
    2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
  • शक्ती - कमाल
    38W (Tc), 83W (Tc)
  • कार्यशील तापमान
    -55°C ~ 150°C (TA)
  • माउंटिंग प्रकार
    Surface Mount
  • पॅकेज / केस
    8-PowerWDFN
  • पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
    8-PowerPair® (6x5)

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