SIZF906BDT-T1-GE3

SIZF906BDT-T1-GE3

निर्माता

Vishay / Siliconix

उत्पादन वर्ग

ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - अॅरे

वर्णन

DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

तपशील

  • मालिका
    TrenchFET® Gen IV
  • पॅकेज
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • भाग स्थिती
    Active
  • fet प्रकार
    2 N-Channel (Dual), Schottky
  • fet वैशिष्ट्य
    Standard
  • स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
    30V
  • वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
    36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
  • rds वर (कमाल) @ id, vgs
    2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (कमाल) @ आयडी
    2.2V @ 250µA
  • गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
    49nC @ 10V, 165nC @ 10V
  • इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
    1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
  • शक्ती - कमाल
    4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
  • कार्यशील तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउंटिंग प्रकार
    Surface Mount
  • पॅकेज / केस
    8-PowerWDFN
  • पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
    8-PowerPair® (6x5)

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प्रमाण:
युनिट किंमत (संदर्भ किंमत):
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लक्ष्य किंमत:
एकूण:1.73000