-
-
फॅक्टरी-डायरेक्ट मार्गे कमी किंमत
मध्यस्थ कापण्यासाठी थेट इलेक्ट्रॉनिक्स कारखान्यात काम करा. कमी आणि सवलतीच्या किमतीसह नवीन मूळ
-
सुरक्षित आणि गुणवत्ता विश्वसनीयता
उत्कृष्ट उत्पादनाच्या गुणवत्तेसाठी गुणवत्ता विमा प्रणाली. वेळेवर, प्रत्येक वेळी दर्जेदार घटकांची तरतूद.
-
15 दशलक्षाहून अधिक इन्व्हेंटरीज
100+ शीर्ष प्रसिद्ध जागतिक निर्माता, 15 दशलक्षाहून अधिक यादी. सवलतीच्या किंमतीसह थेट खरेदी करण्यासाठी समर्थन असलेला स्टॉक उपलब्ध आहे.
-
ग्राहक अनुकूल सेवा
एक स्टॉप सोल्यूशन आपल्या अद्वितीय आवश्यकतांनुसार वैयक्तिकृत केले आहे. 12 भाषांच्या वेबसाइटमध्ये समर्थन, अधिक सोयी आणि जलद सेवा.
TRS16N65FB,S1Q
निर्माता
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
उत्पादन वर्ग
वर्णन
SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A
RFQ ईमेल: [email protected] or ऑनलाइन चौकशी करतो
तपशील
-
मालिका-
-
पॅकेजTube
-
भाग स्थितीActive
-
डायोड कॉन्फिगरेशन1 Pair Common Cathode
-
डायोड प्रकारSilicon Carbide Schottky
-
व्होल्टेज - डीसी रिव्हर्स (व्हीआर) (कमाल)650 V
-
वर्तमान - सरासरी सुधारित (io) (प्रति डायोड)8A (DC)
-
व्होल्टेज - फॉरवर्ड (vf) (कमाल) @ जर1.6 V @ 8 A
-
गतीNo Recovery Time > 500mA (Io)
-
रिव्हर्स रिकव्हरी वेळ (trr)0 ns
-
चालू - उलट गळती @ vr40 µA @ 650 V
-
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन175°C
-
माउंटिंग प्रकारThrough Hole
-
पॅकेज / केसTO-247-3
-
पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेजTO-247
