-
-
फॅक्टरी-डायरेक्ट मार्गे कमी किंमत
मध्यस्थ कापण्यासाठी थेट इलेक्ट्रॉनिक्स कारखान्यात काम करा. कमी आणि सवलतीच्या किमतीसह नवीन मूळ
-
सुरक्षित आणि गुणवत्ता विश्वसनीयता
उत्कृष्ट उत्पादनाच्या गुणवत्तेसाठी गुणवत्ता विमा प्रणाली. वेळेवर, प्रत्येक वेळी दर्जेदार घटकांची तरतूद.
-
15 दशलक्षाहून अधिक इन्व्हेंटरीज
100+ शीर्ष प्रसिद्ध जागतिक निर्माता, 15 दशलक्षाहून अधिक यादी. सवलतीच्या किंमतीसह थेट खरेदी करण्यासाठी समर्थन असलेला स्टॉक उपलब्ध आहे.
-
ग्राहक अनुकूल सेवा
एक स्टॉप सोल्यूशन आपल्या अद्वितीय आवश्यकतांनुसार वैयक्तिकृत केले आहे. 12 भाषांच्या वेबसाइटमध्ये समर्थन, अधिक सोयी आणि जलद सेवा.
TPN1600ANH,L1Q
निर्माता
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
उत्पादन वर्ग
ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
वर्णन
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
RFQ ईमेल: [email protected] or ऑनलाइन चौकशी करतो
तपशील
-
मालिकाU-MOSVIII-H
-
पॅकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
-
भाग स्थितीActive
-
fet प्रकारN-Channel
-
तंत्रज्ञानMOSFET (Metal Oxide)
-
स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)100 V
-
वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c17A (Tc)
-
ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)10V
-
rds वर (कमाल) @ id, vgs16mOhm @ 8.5A, 10V
-
vgs(th) (कमाल) @ आयडी4V @ 200µA
-
गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs19 nC @ 10 V
-
vgs (कमाल)±20V
-
इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds1600 pF @ 50 V
-
fet वैशिष्ट्य-
-
शक्ती अपव्यय (कमाल)700mW (Ta), 42W (Tc)
-
कार्यशील तापमान150°C (TJ)
-
माउंटिंग प्रकारSurface Mount
-
पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज8-TSON Advance (3.3x3.3)
-
पॅकेज / केस8-PowerVDFN
