तपशील

• मालिका
  -
• पॅकेज
  Tube
• भाग स्थिती
  Active
• fet प्रकार
  N-Channel
• तंत्रज्ञान
  SiCFET (Silicon Carbide)
• स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
  1200 V
• वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
  31A (Tc)
• ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)
  18V
• rds वर (कमाल) @ id, vgs
  104mOhm @ 10A, 18V
• vgs(th) (कमाल) @ आयडी
  5.6V @ 5mA
• गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
  60 nC @ 18 V
• vgs (कमाल)
  +22V, -4V
• इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
  785 pF @ 800 V
• fet वैशिष्ट्य
  -
• शक्ती अपव्यय (कमाल)
  165W
• कार्यशील तापमान
  175°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Through Hole
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  TO-247-4L
• पॅकेज / केस
  TO-247-4