-
-
फॅक्टरी-डायरेक्ट मार्गे कमी किंमत
मध्यस्थ कापण्यासाठी थेट इलेक्ट्रॉनिक्स कारखान्यात काम करा. कमी आणि सवलतीच्या किमतीसह नवीन मूळ
-
सुरक्षित आणि गुणवत्ता विश्वसनीयता
उत्कृष्ट उत्पादनाच्या गुणवत्तेसाठी गुणवत्ता विमा प्रणाली. वेळेवर, प्रत्येक वेळी दर्जेदार घटकांची तरतूद.
-
15 दशलक्षाहून अधिक इन्व्हेंटरीज
100+ शीर्ष प्रसिद्ध जागतिक निर्माता, 15 दशलक्षाहून अधिक यादी. सवलतीच्या किंमतीसह थेट खरेदी करण्यासाठी समर्थन असलेला स्टॉक उपलब्ध आहे.
-
ग्राहक अनुकूल सेवा
एक स्टॉप सोल्यूशन आपल्या अद्वितीय आवश्यकतांनुसार वैयक्तिकृत केले आहे. 12 भाषांच्या वेबसाइटमध्ये समर्थन, अधिक सोयी आणि जलद सेवा.
BSM180D12P2C101
RFQ ईमेल: [email protected] or ऑनलाइन चौकशी करतो
तपशील
-
मालिका-
-
पॅकेजBulk
-
भाग स्थितीActive
-
fet प्रकार2 N-Channel (Half Bridge)
-
fet वैशिष्ट्यSilicon Carbide (SiC)
-
स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)1200V (1.2kV)
-
वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c204A (Tc)
-
rds वर (कमाल) @ id, vgs-
-
vgs(th) (कमाल) @ आयडी4V @ 35.2mA
-
गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs-
-
इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds23000pF @ 10V
-
शक्ती - कमाल1130W
-
कार्यशील तापमान-40°C ~ 150°C (TJ)
-
माउंटिंग प्रकार-
-
पॅकेज / केसModule
-
पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेजModule
