PMDPB28UN,115

PMDPB28UN,115

निर्माता

Rochester Electronics

उत्पादन वर्ग

ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - अॅरे

वर्णन

NOW NEXPERIA PMDPB28UN - HUSON6

तपशील

  • मालिका
    TrenchMOS™
  • पॅकेज
    Bulk
  • भाग स्थिती
    Active
  • fet प्रकार
    2 N-Channel (Dual)
  • fet वैशिष्ट्य
    Standard
  • स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
    20V
  • वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
    4.6A (Ta)
  • rds वर (कमाल) @ id, vgs
    37mOhm @ 4.6A, 4.5V
  • vgs(th) (कमाल) @ आयडी
    1V @ 250µA
  • गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
    4.7nC @ 4.5V
  • इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
    265pF @ 10V
  • शक्ती - कमाल
    510mW (Ta), 8.33W (Tc)
  • कार्यशील तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउंटिंग प्रकार
    Surface Mount
  • पॅकेज / केस
    6-UDFN Exposed Pad
  • पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
    6-HUSON-EP (2x2)

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