-
-
फॅक्टरी-डायरेक्ट मार्गे कमी किंमत
मध्यस्थ कापण्यासाठी थेट इलेक्ट्रॉनिक्स कारखान्यात काम करा. कमी आणि सवलतीच्या किमतीसह नवीन मूळ
-
सुरक्षित आणि गुणवत्ता विश्वसनीयता
उत्कृष्ट उत्पादनाच्या गुणवत्तेसाठी गुणवत्ता विमा प्रणाली. वेळेवर, प्रत्येक वेळी दर्जेदार घटकांची तरतूद.
-
15 दशलक्षाहून अधिक इन्व्हेंटरीज
100+ शीर्ष प्रसिद्ध जागतिक निर्माता, 15 दशलक्षाहून अधिक यादी. सवलतीच्या किंमतीसह थेट खरेदी करण्यासाठी समर्थन असलेला स्टॉक उपलब्ध आहे.
-
ग्राहक अनुकूल सेवा
एक स्टॉप सोल्यूशन आपल्या अद्वितीय आवश्यकतांनुसार वैयक्तिकृत केले आहे. 12 भाषांच्या वेबसाइटमध्ये समर्थन, अधिक सोयी आणि जलद सेवा.
IRS26302DJTRPBF
निर्माता
उत्पादन वर्ग
वर्णन
HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DR
RFQ ईमेल: [email protected] or ऑनलाइन चौकशी करतो
तपशील
-
मालिका-
-
पॅकेजBulk
-
भाग स्थितीActive
-
चालित कॉन्फिगरेशनHalf-Bridge
-
चॅनेल प्रकार3-Phase
-
चालकांची संख्या6
-
गेट प्रकारIGBT, N-Channel MOSFET
-
व्होल्टेज - पुरवठा10V ~ 20V
-
लॉजिक व्होल्टेज - vil, vih0.8V, 2.5V
-
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक)200mA, 350mA
-
इनपुट प्रकारNon-Inverting
-
उच्च बाजूचे व्होल्टेज - कमाल (बूटस्ट्रॅप)600 V
-
उदय / पडण्याची वेळ (टाइप)125ns, 50ns
-
कार्यशील तापमान-40°C ~ 125°C (TA)
-
माउंटिंग प्रकारSurface Mount
-
पॅकेज / केस44-LCC (J-Lead), 32 Leads
-
पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
