तपशील

• मालिका
  HEXFET®
• पॅकेज
  Bulk
• भाग स्थिती
  Active
• fet प्रकार
  N-Channel
• तंत्रज्ञान
  MOSFET (Metal Oxide)
• स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
  25 V
• वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
  28A (Ta), 125A (Tc)
• ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)
  4.5V, 10V
• rds वर (कमाल) @ id, vgs
  1.7mOhm @ 28A, 10V
• vgs(th) (कमाल) @ आयडी
  2.1V @ 50µA
• गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
  25 nC @ 4.5 V
• vgs (कमाल)
  ±16V
• इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
  2.51 pF @ 13 V
• fet वैशिष्ट्य
  -
• शक्ती अपव्यय (कमाल)
  2.1W (Ta), 42W (Tc)
• कार्यशील तापमान
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Surface Mount
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  DIRECTFET™ S3C
• पॅकेज / केस
  DirectFET™ Isometric S3C