-
-
फॅक्टरी-डायरेक्ट मार्गे कमी किंमत
मध्यस्थ कापण्यासाठी थेट इलेक्ट्रॉनिक्स कारखान्यात काम करा. कमी आणि सवलतीच्या किमतीसह नवीन मूळ
-
सुरक्षित आणि गुणवत्ता विश्वसनीयता
उत्कृष्ट उत्पादनाच्या गुणवत्तेसाठी गुणवत्ता विमा प्रणाली. वेळेवर, प्रत्येक वेळी दर्जेदार घटकांची तरतूद.
-
15 दशलक्षाहून अधिक इन्व्हेंटरीज
100+ शीर्ष प्रसिद्ध जागतिक निर्माता, 15 दशलक्षाहून अधिक यादी. सवलतीच्या किंमतीसह थेट खरेदी करण्यासाठी समर्थन असलेला स्टॉक उपलब्ध आहे.
-
ग्राहक अनुकूल सेवा
एक स्टॉप सोल्यूशन आपल्या अद्वितीय आवश्यकतांनुसार वैयक्तिकृत केले आहे. 12 भाषांच्या वेबसाइटमध्ये समर्थन, अधिक सोयी आणि जलद सेवा.
IR25606SPBF
निर्माता
उत्पादन वर्ग
वर्णन
HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRI
RFQ ईमेल: [email protected] or ऑनलाइन चौकशी करतो
तपशील
-
मालिका-
-
पॅकेजBulk
-
भाग स्थितीActive
-
चालित कॉन्फिगरेशनHalf-Bridge
-
चॅनेल प्रकारIndependent
-
चालकांची संख्या2
-
गेट प्रकारIGBT, N-Channel MOSFET
-
व्होल्टेज - पुरवठा10V ~ 20V
-
लॉजिक व्होल्टेज - vil, vih0.8V, 2.9V
-
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक)200mA, 350mA
-
इनपुट प्रकारNon-Inverting
-
उच्च बाजूचे व्होल्टेज - कमाल (बूटस्ट्रॅप)600 V
-
उदय / पडण्याची वेळ (टाइप)150ns, 50ns
-
कार्यशील तापमान-40°C ~ 150°C (TJ)
-
माउंटिंग प्रकारSurface Mount
-
पॅकेज / केस8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
-
पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज8-SOIC
