ECH8601M-TL-H

ECH8601M-TL-H

निर्माता

Rochester Electronics

उत्पादन वर्ग

ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - अॅरे

वर्णन

N-CHANNEL POWER MOSFET

तपशील

  • मालिका
    -
  • पॅकेज
    Bulk
  • भाग स्थिती
    Obsolete
  • fet प्रकार
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • fet वैशिष्ट्य
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
    24V
  • वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
    8A (Ta)
  • rds वर (कमाल) @ id, vgs
    23mOhm @ 4A, 4.5V
  • vgs(th) (कमाल) @ आयडी
    1.3V @ 1mA
  • गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
    7.5nC @ 4.5V
  • इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
    -
  • शक्ती - कमाल
    -
  • कार्यशील तापमान
    150°C (TJ)
  • माउंटिंग प्रकार
    Surface Mount
  • पॅकेज / केस
    8-SMD, Flat Lead
  • पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
    8-ECH

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