तपशील

• मालिका
  HEXFET®
• पॅकेज
  Bulk
• भाग स्थिती
  Active
• fet प्रकार
  N-Channel
• तंत्रज्ञान
  MOSFET (Metal Oxide)
• स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
  75 V
• वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
  14A (Ta), 75A (Tc)
• ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)
  10V
• rds वर (कमाल) @ id, vgs
  8.5mOhm @ 45A, 10V
• vgs(th) (कमाल) @ आयडी
  4V @ 100µA
• गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
  77 nC @ 10 V
• vgs (कमाल)
  ±20V
• इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
  3.001 pF @ 25 V
• fet वैशिष्ट्य
  -
• शक्ती अपव्यय (कमाल)
  4.4W (Ta), 125W (Tc)
• कार्यशील तापमान
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Surface Mount
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  PQFN (5x6)
• पॅकेज / केस
  8-PowerTDFN