तपशील

• मालिका
  -
• पॅकेज
  Bulk
• भाग स्थिती
  Obsolete
• fet प्रकार
  P-Channel
• तंत्रज्ञान
  MOSFET (Metal Oxide)
• स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
  50 V
• वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
  70mA (Ta)
• ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)
  1.5V, 4V
• rds वर (कमाल) @ id, vgs
  23Ohm @ 40mA, 4V
• vgs(th) (कमाल) @ आयडी
  -
• गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
  1.4 nC @ 10 V
• vgs (कमाल)
  ±10V
• इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
  7.4 pF @ 10 V
• fet वैशिष्ट्य
  -
• शक्ती अपव्यय (कमाल)
  250mW (Ta)
• कार्यशील तापमान
  150°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Surface Mount
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  3-CP
• पॅकेज / केस
  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3