तपशील

• मालिका
  -
• पॅकेज
  Tray
• भाग स्थिती
  Obsolete
• fet प्रकार
  N-Channel
• तंत्रज्ञान
  MOSFET (Metal Oxide)
• स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
  600 V
• वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
  17A (Ta)
• ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)
  10V
• rds वर (कमाल) @ id, vgs
  610mOhm @ 7A, 10V
• vgs(th) (कमाल) @ आयडी
  -
• गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
  46 nC @ 10 V
• vgs (कमाल)
  ±30V
• इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
  1200 pF @ 30 V
• fet वैशिष्ट्य
  -
• शक्ती अपव्यय (कमाल)
  2.5W (Ta), 170W (Tc)
• कार्यशील तापमान
  150°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Through Hole
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  TO-3PB
• पॅकेज / केस
  TO-3P-3, SC-65-3