तपशील

• मालिका
  -
• पॅकेज
  Bulk
• भाग स्थिती
  Active
• fet प्रकार
  P-Channel
• तंत्रज्ञान
  MOSFET (Metal Oxide)
• स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
  40 V
• वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
  430mA (Tj)
• ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)
  5V, 10V
• rds वर (कमाल) @ id, vgs
  2Ohm @ 1A, 10V
• vgs(th) (कमाल) @ आयडी
  2.4V @ 1mA
• गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
  -
• vgs (कमाल)
  ±20V
• इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
  150 pF @ 20 V
• fet वैशिष्ट्य
  -
• शक्ती अपव्यय (कमाल)
  740mW (Ta)
• कार्यशील तापमान
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Through Hole
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  TO-92-3
• पॅकेज / केस
  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)