तपशील

• मालिका
  -
• पॅकेज
  Tube
• भाग स्थिती
  Active
• fet प्रकार
  2 N Channel (Phase Leg)
• fet वैशिष्ट्य
  Silicon Carbide (SiC)
• स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
  700V
• वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
  353A (Tc)
• rds वर (कमाल) @ id, vgs
  6.4mOhm @ 120A, 20V
• vgs(th) (कमाल) @ आयडी
  2.4V @ 12mA
• गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
  645nC @ 20V
• इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
  13500pF @ 700V
• शक्ती - कमाल
  988W (Tc)
• कार्यशील तापमान
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Chassis Mount
• पॅकेज / केस
  Module
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  SP3F