तपशील

• मालिका
  -
• पॅकेज
  Tube
• भाग स्थिती
  Active
• fet प्रकार
  6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• fet वैशिष्ट्य
  Silicon Carbide (SiC)
• स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
  1200V (1.2kV)
• वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
  171A (Tc)
• rds वर (कमाल) @ id, vgs
  16mOhm @ 80A, 20V
• vgs(th) (कमाल) @ आयडी
  2.8V @ 2mA
• गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
  464nC @ 20V
• इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
  6040pF @ 1000V
• शक्ती - कमाल
  728W (Tc)
• कार्यशील तापमान
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Chassis Mount
• पॅकेज / केस
  Module
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  SP6-P