MSCSM120AM31CT1AG

MSCSM120AM31CT1AG

निर्माता

Roving Networks / Microchip Technology

उत्पादन वर्ग

ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - अॅरे

वर्णन

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F

तपशील

  • मालिका
    -
  • पॅकेज
    Tube
  • भाग स्थिती
    Active
  • fet प्रकार
    2 N Channel (Phase Leg)
  • fet वैशिष्ट्य
    Silicon Carbide (SiC)
  • स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
    1200V (1.2kV)
  • वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
    89A (Tc)
  • rds वर (कमाल) @ id, vgs
    31mOhm @ 40A, 20V
  • vgs(th) (कमाल) @ आयडी
    2.8V @ 1mA
  • गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
    232nC @ 20V
  • इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
    3020pF @ 1000V
  • शक्ती - कमाल
    395W (Tc)
  • कार्यशील तापमान
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • माउंटिंग प्रकार
    Chassis Mount
  • पॅकेज / केस
    Module
  • पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
    SP1F

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प्रमाण:
युनिट किंमत (संदर्भ किंमत):
121.84000
लक्ष्य किंमत:
एकूण:121.84000