FF11MR12W1M1B11BOMA1

FF11MR12W1M1B11BOMA1

निर्माता

IR (Infineon Technologies)

उत्पादन वर्ग

ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - अॅरे

वर्णन

MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE

तपशील

  • मालिका
    CoolSiC™+
  • पॅकेज
    Tray
  • भाग स्थिती
    Active
  • fet प्रकार
    2 N-Channel (Dual)
  • fet वैशिष्ट्य
    Silicon Carbide (SiC)
  • स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
    1200V (1.2kV)
  • वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
    100A
  • rds वर (कमाल) @ id, vgs
    11mOhm @ 100A, 15V
  • vgs(th) (कमाल) @ आयडी
    5.55V @ 40mA
  • गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
    250nC @ 15V
  • इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
    7950pF @ 800V
  • शक्ती - कमाल
    -
  • कार्यशील तापमान
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • माउंटिंग प्रकार
    Chassis Mount
  • पॅकेज / केस
    Module
  • पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
    Module

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प्रमाण:
युनिट किंमत (संदर्भ किंमत):
165.53000
लक्ष्य किंमत:
एकूण:165.53000

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