BSZ086P03NS3EGATMA1

BSZ086P03NS3EGATMA1

निर्माता

IR (Infineon Technologies)

उत्पादन वर्ग

ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - सिंगल

वर्णन

MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON

तपशील

  • मालिका
    OptiMOS™
  • पॅकेज
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • भाग स्थिती
    Active
  • fet प्रकार
    P-Channel
  • तंत्रज्ञान
    MOSFET (Metal Oxide)
  • स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
    30 V
  • वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
    13.5A (Ta), 40A (Tc)
  • ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)
    6V, 10V
  • rds वर (कमाल) @ id, vgs
    8.6mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (कमाल) @ आयडी
    3.1V @ 105µA
  • गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
    57.5 nC @ 10 V
  • vgs (कमाल)
    ±25V
  • इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
    4785 pF @ 15 V
  • fet वैशिष्ट्य
    -
  • शक्ती अपव्यय (कमाल)
    2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • कार्यशील तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउंटिंग प्रकार
    Surface Mount
  • पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
    PG-TSDSON-8
  • पॅकेज / केस
    8-PowerTDFN

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