तपशील

• मालिका
  eGaN®
• पॅकेज
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• भाग स्थिती
  Active
• fet प्रकार
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet वैशिष्ट्य
  GaNFET (Gallium Nitride)
• स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
  80V
• वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
  9.5A, 38A
• rds वर (कमाल) @ id, vgs
  14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
• vgs(th) (कमाल) @ आयडी
  2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
• गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
  2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
• इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
  300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
• शक्ती - कमाल
  -
• कार्यशील तापमान
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Surface Mount
• पॅकेज / केस
  Die
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  Die