ALD1110EPAL

ALD1110EPAL

निर्माता

Advanced Linear Devices, Inc.

उत्पादन वर्ग

ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - अॅरे

वर्णन

MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

तपशील

  • मालिका
    EPAD®
  • पॅकेज
    Tube
  • भाग स्थिती
    Active
  • fet प्रकार
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • fet वैशिष्ट्य
    Standard
  • स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
    10V
  • वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
    -
  • rds वर (कमाल) @ id, vgs
    500Ohm @ 5V
  • vgs(th) (कमाल) @ आयडी
    1.01V @ 1µA
  • गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
    -
  • इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
    2.5pF @ 5V
  • शक्ती - कमाल
    600mW
  • कार्यशील तापमान
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • माउंटिंग प्रकार
    Through Hole
  • पॅकेज / केस
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
    8-PDIP

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प्रमाण:
युनिट किंमत (संदर्भ किंमत):
7.14840
लक्ष्य किंमत:
एकूण:7.14840

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