तपशील

• मालिका
  C2M™
• पॅकेज
  Tube
• भाग स्थिती
  Not For New Designs
• fet प्रकार
  N-Channel
• तंत्रज्ञान
  SiCFET (Silicon Carbide)
• स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
  1700 V
• वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
  72A (Tc)
• ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)
  20V
• rds वर (कमाल) @ id, vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (कमाल) @ आयडी
  4V @ 18mA
• गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
  188 nC @ 20 V
• vgs (कमाल)
  +25V, -10V
• इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• fet वैशिष्ट्य
  -
• शक्ती अपव्यय (कमाल)
  520W (Tc)
• कार्यशील तापमान
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Through Hole
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  TO-247-4
• पॅकेज / केस
  TO-247-4