SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

निर्माता

Vishay / Siliconix

उत्पादन वर्ग

ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - अॅरे

वर्णन

MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

तपशील

  • मालिका
    TrenchFET® Gen III
  • पॅकेज
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • भाग स्थिती
    Active
  • fet प्रकार
    2 P-Channel (Dual)
  • fet वैशिष्ट्य
    Standard
  • स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
    20V
  • वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
    6A (Tc)
  • rds वर (कमाल) @ id, vgs
    20.1mOhm @ 5A, 4.5V
  • vgs(th) (कमाल) @ आयडी
    1V @ 250µA
  • गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
    42nC @ 10V
  • इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
    2565pF @ 10V
  • शक्ती - कमाल
    2.6W (Ta), 23W (Tc)
  • कार्यशील तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउंटिंग प्रकार
    Surface Mount
  • पॅकेज / केस
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
    PowerPAK® 1212-8 Dual

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प्रमाण:
युनिट किंमत (संदर्भ किंमत):
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लक्ष्य किंमत:
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