SI3590DV-T1-E3

SI3590DV-T1-E3

निर्माता

Vishay / Siliconix

उत्पादन वर्ग

ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - अॅरे

वर्णन

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

तपशील

  • मालिका
    TrenchFET®
  • पॅकेज
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • भाग स्थिती
    Active
  • fet प्रकार
    N and P-Channel
  • fet वैशिष्ट्य
    Logic Level Gate
  • स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
    30V
  • वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
    2.5A, 1.7A
  • rds वर (कमाल) @ id, vgs
    77mOhm @ 3A, 4.5V
  • vgs(th) (कमाल) @ आयडी
    1.5V @ 250µA
  • गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
    4.5nC @ 4.5V
  • इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
    -
  • शक्ती - कमाल
    830mW
  • कार्यशील तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउंटिंग प्रकार
    Surface Mount
  • पॅकेज / केस
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
    6-TSOP

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