तपशील

• मालिका
  LinCMOS™
• पॅकेज
  Tube
• भाग स्थिती
  Active
• अॅम्प्लीफायर प्रकार
  J-FET
• सर्किट्सची संख्या
  2
• आउटपुट प्रकार
  -
• कमी दर
  20.7V/µs
• बँडविड्थ उत्पादन मिळवा
  3 MHz
• -3db बँडविड्थ
  -
• वर्तमान - इनपुट पूर्वाग्रह
  30 pA
• व्होल्टेज - इनपुट ऑफसेट
  650 µV
• वर्तमान - पुरवठा
  4.8mA (x2 Channels)
• वर्तमान - आउटपुट / चॅनेल
  80 mA
• व्होल्टेज - पुरवठा, सिंगल/ड्युअल (±)
  10V ~ 30V, ±5V ~ 15V
• कार्यशील तापमान
  0°C ~ 70°C (TA)
• माउंटिंग प्रकार
  Through Hole
• पॅकेज / केस
  8-DIP (0.300", 7.62mm)
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  8-PDIP