तपशील

• मालिका
  -
• पॅकेज
  Bulk
• भाग स्थिती
  Active
• fet प्रकार
  P-Channel
• तंत्रज्ञान
  MOSFET (Metal Oxide)
• स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
  15 V
• वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
  1.27A (Ta)
• ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)
  2.7V, 10V
• rds वर (कमाल) @ id, vgs
  180mOhm @ 1.5A, 10V
• vgs(th) (कमाल) @ आयडी
  1.5V @ 250µA
• गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
  5.45 nC @ 10 V
• vgs (कमाल)
  +2V, -15V
• इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
  -
• fet वैशिष्ट्य
  -
• शक्ती अपव्यय (कमाल)
  504mW (Ta)
• कार्यशील तापमान
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Surface Mount
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  8-TSSOP
• पॅकेज / केस
  8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)