तपशील

• मालिका
  TrenchMOS™
• पॅकेज
  Bulk
• भाग स्थिती
  Active
• fet प्रकार
  N-Channel
• तंत्रज्ञान
  MOSFET (Metal Oxide)
• स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
  55 V
• वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
  4.9A (Ta), 10.7A (Tc)
• ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)
  -
• rds वर (कमाल) @ id, vgs
  40mOhm @ 5A, 5V
• vgs(th) (कमाल) @ आयडी
  2V @ 1mA
• गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
  17 nC @ 5 V
• vgs (कमाल)
  ±13V
• इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
  1400 pF @ 25 V
• fet वैशिष्ट्य
  -
• शक्ती अपव्यय (कमाल)
  1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
• कार्यशील तापमान
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Surface Mount
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  SC-73
• पॅकेज / केस
  TO-261-4, TO-261AA