तपशील

• मालिका
  -
• पॅकेज
  Bulk
• भाग स्थिती
  Obsolete
• fet प्रकार
  P-Channel
• तंत्रज्ञान
  MOSFET (Metal Oxide)
• स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
  20 V
• वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
  3.5A (Ta)
• ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)
  1.5V, 4.5V
• rds वर (कमाल) @ id, vgs
  40mOhm @ 3A, 4.5V
• vgs(th) (कमाल) @ आयडी
  1V @ 250µA
• गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
  15.7 nC @ 4.5 V
• vgs (कमाल)
  ±8V
• इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
  1.329 pF @ 16 V
• fet वैशिष्ट्य
  -
• शक्ती अपव्यय (कमाल)
  700mW (Ta)
• कार्यशील तापमान
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Surface Mount
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  6-WDFN (2x2)
• पॅकेज / केस
  6-WDFN Exposed Pad