IRF614

IRF614

निर्माता

Rochester Electronics

उत्पादन वर्ग

ट्रान्झिस्टर - fets, mosfets - सिंगल

वर्णन

ADVANCED POWER MOSFET

तपशील

  • मालिका
    -
  • पॅकेज
    Bulk
  • भाग स्थिती
    Active
  • fet प्रकार
    N-Channel
  • तंत्रज्ञान
    MOSFET (Metal Oxide)
  • स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
    250 V
  • वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
    2.7A (Tc)
  • ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)
    10V
  • rds वर (कमाल) @ id, vgs
    2Ohm @ 1.6A, 10V
  • vgs(th) (कमाल) @ आयडी
    4V @ 250µA
  • गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
    8.2 nC @ 10 V
  • vgs (कमाल)
    ±20V
  • इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
    140 pF @ 25 V
  • fet वैशिष्ट्य
    -
  • शक्ती अपव्यय (कमाल)
    36W (Tc)
  • कार्यशील तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउंटिंग प्रकार
    Through Hole
  • पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
    TO-220AB
  • पॅकेज / केस
    TO-220-3

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