तपशील

• मालिका
  -
• पॅकेज
  Tray
• भाग स्थिती
  Active
• डायोड प्रकार
  Silicon Carbide Schottky
• व्होल्टेज - डीसी रिव्हर्स (व्हीआर) (कमाल)
  1200 V
• वर्तमान - सरासरी सुधारित (io)
  61A (DC)
• व्होल्टेज - फॉरवर्ड (vf) (कमाल) @ जर
  1.75 V @ 40 A
• गती
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• रिव्हर्स रिकव्हरी वेळ (trr)
  0 ns
• चालू - उलट गळती @ vr
  200 µA @ 1200 V
• capacitance @ vr, f
  2250pf @ 1V, 100kHz
• माउंटिंग प्रकार
  Surface Mount
• पॅकेज / केस
  Die
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  Die
• ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
  -55°C ~ 175°C