तपशील

  • मालिका
    -
  • पॅकेज
    Tube
  • भाग स्थिती
    Active
  • fet प्रकार
    N-Channel
  • तंत्रज्ञान
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
    700 V
  • वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
    25A (Tc)
  • ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)
    -
  • rds वर (कमाल) @ id, vgs
    -
  • vgs(th) (कमाल) @ आयडी
    -
  • गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
    -
  • vgs (कमाल)
    -
  • इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
    -
  • fet वैशिष्ट्य
    -
  • शक्ती अपव्यय (कमाल)
    -
  • कार्यशील तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउंटिंग प्रकार
    Surface Mount
  • पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
    D3Pak
  • पॅकेज / केस
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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प्रमाण:
युनिट किंमत (संदर्भ किंमत):
7.25000
लक्ष्य किंमत:
एकूण:7.25000