तपशील

• मालिका
  -
• पॅकेज
  Tube
• भाग स्थिती
  Active
• चालित कॉन्फिगरेशन
  Half-Bridge
• चॅनेल प्रकार
  Independent
• चालकांची संख्या
  2
• गेट प्रकार
  N-Channel MOSFET
• व्होल्टेज - पुरवठा
  8V ~ 12.6V
• लॉजिक व्होल्टेज - vil, vih
  0.8V, 2V
• वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक)
  2A, 2A
• इनपुट प्रकार
  Non-Inverting
• उच्च बाजूचे व्होल्टेज - कमाल (बूटस्ट्रॅप)
  125 V
• उदय / पडण्याची वेळ (टाइप)
  65ns, 65ns
• कार्यशील तापमान
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Surface Mount
• पॅकेज / केस
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  8-SOIC-EP