तपशील

• मालिका
  BIMOSFET™
• पॅकेज
  Tube
• भाग स्थिती
  Not For New Designs
• igbt प्रकार
  -
• व्होल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (कमाल)
  3600 V
• वर्तमान - संग्राहक (ic) (कमाल)
  70 A
• वर्तमान - संग्राहक स्पंदित (ICM)
  220 A
• vce(चालू) (कमाल) @ vge, ic
  3.4V @ 15V, 20A
• शक्ती - कमाल
  430 W
• ऊर्जा बदलणे
  15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
• इनपुट प्रकार
  Standard
• गेट चार्ज
  110 nC
• td (चालू/बंद) @ 25°c
  18ns/238ns
• चाचणी स्थिती
  1500V, 20A, 10Ohm, 15V
• रिव्हर्स रिकव्हरी वेळ (trr)
  1.7 µs
• कार्यशील तापमान
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Surface Mount
• पॅकेज / केस
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  TO-268