तपशील

• मालिका
  BIMOSFET™
• पॅकेज
  Tube
• भाग स्थिती
  Active
• igbt प्रकार
  -
• व्होल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (कमाल)
  3000 V
• वर्तमान - संग्राहक (ic) (कमाल)
  34 A
• वर्तमान - संग्राहक स्पंदित (ICM)
  88 A
• vce(चालू) (कमाल) @ vge, ic
  2.8V @ 15V, 10A
• शक्ती - कमाल
  180 W
• ऊर्जा बदलणे
  -
• इनपुट प्रकार
  Standard
• गेट चार्ज
  46 nC
• td (चालू/बंद) @ 25°c
  36ns/100ns
• चाचणी स्थिती
  960V, 10A, 10Ohm, 15V
• रिव्हर्स रिकव्हरी वेळ (trr)
  1.6 µs
• कार्यशील तापमान
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Surface Mount
• पॅकेज / केस
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  TO-263