-
-
फॅक्टरी-डायरेक्ट मार्गे कमी किंमत
मध्यस्थ कापण्यासाठी थेट इलेक्ट्रॉनिक्स कारखान्यात काम करा. कमी आणि सवलतीच्या किमतीसह नवीन मूळ
-
सुरक्षित आणि गुणवत्ता विश्वसनीयता
उत्कृष्ट उत्पादनाच्या गुणवत्तेसाठी गुणवत्ता विमा प्रणाली. वेळेवर, प्रत्येक वेळी दर्जेदार घटकांची तरतूद.
-
15 दशलक्षाहून अधिक इन्व्हेंटरीज
100+ शीर्ष प्रसिद्ध जागतिक निर्माता, 15 दशलक्षाहून अधिक यादी. सवलतीच्या किंमतीसह थेट खरेदी करण्यासाठी समर्थन असलेला स्टॉक उपलब्ध आहे.
-
ग्राहक अनुकूल सेवा
एक स्टॉप सोल्यूशन आपल्या अद्वितीय आवश्यकतांनुसार वैयक्तिकृत केले आहे. 12 भाषांच्या वेबसाइटमध्ये समर्थन, अधिक सोयी आणि जलद सेवा.
IRLZ34NPBF
RFQ ईमेल: [email protected] or ऑनलाइन चौकशी करतो
तपशील
-
मालिकाHEXFET®
-
पॅकेजTube
-
भाग स्थितीActive
-
fet प्रकारN-Channel
-
तंत्रज्ञानMOSFET (Metal Oxide)
-
स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)55 V
-
वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c30A (Tc)
-
ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)4V, 10V
-
rds वर (कमाल) @ id, vgs35mOhm @ 16A, 10V
-
vgs(th) (कमाल) @ आयडी2V @ 250µA
-
गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs25 nC @ 5 V
-
vgs (कमाल)±16V
-
इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds880 pF @ 25 V
-
fet वैशिष्ट्य-
-
शक्ती अपव्यय (कमाल)68W (Tc)
-
कार्यशील तापमान-55°C ~ 175°C (TJ)
-
माउंटिंग प्रकारThrough Hole
-
पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेजTO-220AB
-
पॅकेज / केसTO-220-3
