तपशील

• मालिका
  HEXFET®
• पॅकेज
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• भाग स्थिती
  Active
• fet प्रकार
  N-Channel
• तंत्रज्ञान
  MOSFET (Metal Oxide)
• स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
  60 V
• वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
  1.2A (Ta)
• ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)
  4.5V, 10V
• rds वर (कमाल) @ id, vgs
  480mOhm @ 1.2A, 10V
• vgs(th) (कमाल) @ आयडी
  2.5V @ 25µA
• गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
  0.67 nC @ 4.5 V
• vgs (कमाल)
  ±16V
• इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
  64 pF @ 25 V
• fet वैशिष्ट्य
  -
• शक्ती अपव्यय (कमाल)
  1.25W (Ta)
• कार्यशील तापमान
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Surface Mount
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  Micro3™/SOT-23
• पॅकेज / केस
  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3