तपशील

• मालिका
  HEXFET®
• पॅकेज
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• भाग स्थिती
  Obsolete
• fet प्रकार
  P-Channel
• तंत्रज्ञान
  MOSFET (Metal Oxide)
• स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
  20 V
• वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
  5.4A (Tc)
• ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)
  2.7V, 4.5V
• rds वर (कमाल) @ id, vgs
  60mOhm @ 5.4A, 4.5V
• vgs(th) (कमाल) @ आयडी
  700mV @ 250µA
• गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
  22 nC @ 4.5 V
• vgs (कमाल)
  ±12V
• इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
  780 pF @ 15 V
• fet वैशिष्ट्य
  -
• शक्ती अपव्यय (कमाल)
  2.5W (Tc)
• कार्यशील तापमान
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Surface Mount
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  8-SO
• पॅकेज / केस
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)