तपशील

• मालिका
  HEXFET®
• पॅकेज
  Tube
• भाग स्थिती
  Obsolete
• fet प्रकार
  N-Channel
• तंत्रज्ञान
  MOSFET (Metal Oxide)
• स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
  30 V
• वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
  87A (Tc)
• ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)
  4.5V, 10V
• rds वर (कमाल) @ id, vgs
  6.3mOhm @ 21A, 10V
• vgs(th) (कमाल) @ आयडी
  2.25V @ 250µA
• गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
  26 nC @ 4.5 V
• vgs (कमाल)
  ±20V
• इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
  2130 pF @ 15 V
• fet वैशिष्ट्य
  -
• शक्ती अपव्यय (कमाल)
  79W (Tc)
• कार्यशील तापमान
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Through Hole
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  TO-262
• पॅकेज / केस
  TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA