तपशील

• मालिका
  eGaN®
• पॅकेज
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• भाग स्थिती
  Active
• fet प्रकार
  N-Channel
• तंत्रज्ञान
  GaNFET (Gallium Nitride)
• स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
  65 V
• वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
  2.7A (Ta)
• ड्राइव्ह व्होल्टेज (कमाल आरडीएस चालू, किमान आरडीएस चालू)
  5V
• rds वर (कमाल) @ id, vgs
  130mOhm @ 500mA, 5V
• vgs(th) (कमाल) @ आयडी
  2.5V @ 250µA
• गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
  0.45 nC @ 5 V
• vgs (कमाल)
  +6V, -4V
• इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
  52 pF @ 32.5 V
• fet वैशिष्ट्य
  -
• शक्ती अपव्यय (कमाल)
  -
• कार्यशील तापमान
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Surface Mount
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  Die
• पॅकेज / केस
  Die