तपशील

• मालिका
  eGaN®
• पॅकेज
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• भाग स्थिती
  Active
• fet प्रकार
  3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
• fet वैशिष्ट्य
  GaNFET (Gallium Nitride)
• स्रोत व्होल्टेजवर निचरा (vdss)
  100V
• वर्तमान - सतत निचरा (id) @ 25°c
  1.7A, 500mA
• rds वर (कमाल) @ id, vgs
  320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
• vgs(th) (कमाल) @ आयडी
  2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
• गेट चार्ज (qg) (कमाल) @ vgs
  0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
• इनपुट कॅपेसिटन्स (ciss) (कमाल) @ vds
  16pF @ 50V, 7pF @ 50V
• शक्ती - कमाल
  -
• कार्यशील तापमान
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• माउंटिंग प्रकार
  Surface Mount
• पॅकेज / केस
  9-VFBGA
• पुरवठादार डिव्हाइस पॅकेज
  9-BGA (1.35x1.35)